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「トランジスタ - トランジスタの種類と特徴」の版間の差分
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→Nチャネル型MOSFET(エンハンスメント形)の動作原理
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*: その結果、ドレイン-ソース間はN型半導体のみになり、N型半導体内の電子が移動できるようになり、ドレインからソースにドレイン電流I<sub>D</sub>が流れる。 | *: その結果、ドレイン-ソース間はN型半導体のみになり、N型半導体内の電子が移動できるようになり、ドレインからソースにドレイン電流I<sub>D</sub>が流れる。 | ||
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==== Pチャネル型MOFFET(エンハンスメント形) ==== | |||
Pチャネル型MOSFETは、ドレインとソースの間にPチャネル領域を有している金属酸化膜半導体FET(MOSFET)である。<br> | |||
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ソースに対してゲート端子に負電圧を印加すると、ソースからドレインにドレイン電流I<sub>D</sub>が流れるようになる。<br> | |||
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Pチャネル型MOFFET(エンハンスメント形)の動作原理については、Nチャネル型MOFFET(エンハンスメント形)の動作原理と同様に考えればよいため省略する。<br> | |||
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