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「トランジスタ - トランジスタの種類と特徴」の版間の差分
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→エンハンスメント形とデプレッション形の違い
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*: 回路記号は、エンハンスメント形にあった隙間がない。 | *: 回路記号は、エンハンスメント形にあった隙間がない。 | ||
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==== Nチャネル型MOSFET(エンハンスメント形) ==== | |||
Nチャネル型MOSFETは、ドレインとソースの間にNチャネル領域を有している金属酸化膜半導体FET(MOSFET)である。<br> | |||
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ソースに対してゲート端子に正電圧を印加すると、ドレインからソースにドレイン電流I<sub>D</sub>が流れるようになる。<br> | |||
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==== Nチャネル型MOSFET(エンハンスメント形)の動作原理 ==== | |||
* ゲート-ソース間に電圧が印加されていない状態 | |||
*: ドレイン-ソース間電圧V<sub>DS</sub>を印加しても、ドレインとソースの間はNPN構造となっているため、ドレインからソースにドレイン電流I<sub>D</sub>が流れない。 | |||
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* ソースに対してゲート端子に正電圧を印加している状態 | |||
*: ゲートの絶縁膜直下にP型半導体内の電子が引き寄せられ、電子よるNチャネル領域が形成される。 | |||
*: その結果、ドレイン-ソース間はN型半導体のみになり、N型半導体内の電子が移動できるようになり、ドレインからソースにドレイン電流I<sub>D</sub>が流れる。 | |||
[[ファイル:ErectricParts Transistor FET IGBT 6.jpg|フレームなし|中央]] | |||
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