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| また、入力抵抗(ベース-エミッタ間の抵抗)R<sub>2</sub>が接続されているものと接続されていないものが存在する。<br> | | また、入力抵抗(ベース-エミッタ間の抵抗)R<sub>2</sub>が接続されているものと接続されていないものが存在する。<br> |
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| == 絶縁ゲートトランジスタ(IGBT) ==
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| ==== 絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)とは ====
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| 絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)は、Nチャネル型とPチャネル型の2種類ある。<br>
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| 絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)には、ゲート、コレクタ、エミッタの3つの端子がある。<br>
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| ゲートは金属酸化膜半導体FET(MOSFET)と同じで、コレクタとエミッタはバイポーラトランジスタ(BJT)と同じになっている。<br>
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| また、絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)は、電圧制御素子である。ゲート端子の印加電圧によって、コレクタ-エミッタ間に流れるコレクタ電流I<sub>C</sub>を制御する。<br>
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| <u>※補足</u><br>
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| <u>絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)は、Insulated Gate Bipolar Transistorの略である。</u><br>
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| <u>IGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタを複合化することで、MOSFETとバイポーラトランジスタの良い面を利用するために開発されたトランジスタである。</u><br>
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| <u>MOSFETと同様にゲートが絶縁されており、電圧制御形のデバイスである。</u><br>
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| <u>MOSFETの高速動作が可能という点と、バイポーラデバイスの高耐圧でも低オン抵抗という特徴を持っている。</u><br>
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| ==== Nチャネル型IGBT ====
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| Nチャネル型IGBTは、エミッタがN型半導体、コレクタがP型半導体の絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)である。<br>
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| エミッタに対して、ゲート端子に正電圧を印加すると、コレクタからエミッタにコレクタ電流I<sub>C</sub>が流れる。<br>
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| ==== Nチャネル型IGBTの動作原理 ====
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| * ゲート-エミッタ間に正電圧が印加されていない状態
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| *: コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>を印加しても、NPN構造があるため、コレクタからエミッタにコレクタ電流I<sub>C</sub>が流れない。
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| * エミッタに対して、ゲート端子に正電圧を印加している状態
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| *: ゲートの絶縁膜直下にP型半導体内の電子が引き寄せられ、電子よるNチャネル領域が形成される。
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| *: その結果、コレクタ-エミッタ間はPN接続となるため、コレクタからエミッタにコレクタ電流I<sub>C</sub>が流れる。
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| NチャネルMOSFET(エンハンスメント形)では、N型半導体のソースとN型半導体のドレインの間で電流が流れるのに対して、<br>
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| Nチャネル型IGBTでは、P形半導体のコレクタからN形半導体のエミッタに電流が流れる構造となっている。<br>
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| [[ファイル:ErectricParts Transistor FET IGBT 7.jpg|フレームなし|中央]]
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| ==== Pチャネル型IGBT ====
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| Pチャネル型IGBTは、エミッタがP型半導体、コレクタがN型半導体の絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)である。<br>
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| エミッタに対して、ゲート端子に負電圧を印加すると、エミッタからコレクタにコレクタ電流I<sub>C</sub>が流れる。<br>
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| Pチャネル型IGBTの動作原理については、Nチャネル型IGBTの動作原理と同様に考えればよいため、省略する。<br>
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| [[ファイル:ErectricParts Transistor FET IGBT 8.jpg|フレームなし|中央]]
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| [[カテゴリ:電子部品]] | | [[カテゴリ:電子部品]] |