「トランジスタ - トランジスタの特性」の版間の差分

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ビジュアルウィキテキスト

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 コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>がある一定値を超えるまでは、コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>が増加するとコレクタ電流I<sub>C</sub>が増加するが、<br>
 コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>がある一定値を超えると、コレクタ電流I<sub>C</sub>はコレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>によらず、ベース電流I<sub>B</sub>に依存する値となる。<br>
-[[ファイル:ErectricParts Transistor Output 1.jpg|フレームなし|中央]]
+[[ファイル:ErectricParts_Transistor_Characteristic_1.jpg|フレームなし|中央]]
 <br><br>
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 トランジスタをスイッチとして使用する場合は、飽和領域(スイッチがオンの状態)と遮断領域(スイッチがオフの状態)を利用する。<br>
 トランジスタをアンプとして使用する場合は、活性領域を利用する。<br>
-[[ファイル:ErectricParts Transistor Output 2.jpg|フレームなし|中央]]
+[[ファイル:ErectricParts_Transistor_Characteristic_2.jpg|フレームなし|中央]]
 <br>
 次に、3つの領域(飽和領域、活性領域、遮断領域)について順番に記載する。<br>
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 <u>トランジスタの入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)とは、コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>を一定とした時における、</u><br>
 <u>ベース電流I<sub>B</sub>とベース-エミッタ間電圧V<sub>BE</sub>の特性のことである。</u><br>
-[[ファイル:ErectricParts Characteristic 3.jpg|フレームなし|中央]]
+[[ファイル:ErectricParts_Transistor_Characteristic_3.jpg|フレームなし|中央]]
 <br>
 ベースとエミッタ間はPN接合となるため、ダイオードの順方向電圧特性(I<sub>F</sub>-V<sub>F</sub>特性)と同じになる。<br>
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 下図は、東芝製2SC1815の入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)である。<br>
 コレクタ-エミッタ間電圧V<sub>CE</sub>が6[V]、温度が-25[℃]、25[℃]、100[℃]の時の特性が記載されており、温度が高くなると特性は左側にシフトしていることが分かる。<br>
-[[ファイル:ErectricParts Characteristic 4.jpg|フレームなし|中央]]
+[[ファイル:ErectricParts_Transistor_Characteristic_4.jpg|フレームなし|中央]]
 <br><br>
 __FORCETOC__
 [[カテゴリ:電子部品]]