「トランジスタ - トランジスタの特性」の版間の差分

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ビジュアルウィキテキスト

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 == 概要 ==
-ここでは、トランジスタの出力特性(IC-VCE特性)と飽和領域、活性領域、遮断領域について記載する。<br>
+ここでは、以下に示すトランジスタの特性について記載する。<br>
+* 出力特性(I<sub>C</sub>-V<sub>CE</sub>特性)と飽和領域、活性領域、遮断領域
+* 入力特性(I<sub>B</sub>-V<sub>BE</sub>特性)
+* I<sub>C</sub>-V<sub>BE</sub>特性
+* 電流伝達特性(I<sub>C</sub>-I<sub>B</sub>特性)
+* h<sub>FE</sub>-I<sub>C</sub>特性
 <br><br>
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 <br>
 なお、単位はS(ジーメンス)である。<br>
+<br><br>
+== トランジスタの入力特性(IB-VBE特性) ==
+トランジスタの入力特性(IB-VBE特性)とは、コレクタ-エミッタ間電圧VCEを一定とした時における、ベース電流IBとベースエミッタ間電圧VBEの特性のことである。<br>
+<br>
+ベースとエミッタ間はPN接合となるため、ダイオードの順方向電圧特性(IF-VF特性)と同じになる。<br>
+<br>
+シリコンを素材としたシリコントランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧VBEが0.6～0.8[V]以上になると、ベース電流IBが大きく変化する。<br>
+ゲルマニウムを素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベース-エミッタ間電圧VBEが0.2～0.3[V]以上になると、ベース電流IBが大きく変化する。<br>
+<br><br>
+== トランジスタの入力特性(IB-VBE特性)における温度特性 ==
+トランジスタの入力特性(IB-VBE特性)は、温度によって変化する。<br>
+データシート上には、温度が-55[℃]、-40[℃]、-25[℃]、25[℃]、100[℃]など異なる温度の時のIC-VBE特性が記載されている。<br>
+<br>
+入力特性(IB-VBE特性)において、温度が高くなると特性は左側にシフトする。<br>
+すなわち、温度が高くなると、同じベース電流IBを流すために必要なベース-エミッタ間電圧VBEが減少する。<br>
+<br>
+下図は、東芝製2SC1815の入力特性(IB-VBE特性)である。<br>
+コレクタ-エミッタ間電圧VCEが6[V]、温度が-25[℃]、25[℃]、100[℃]の時の特性が記載されており、温度が高くなると特性は左側にシフトしていることが分かる。<br>
 <br><br>
 __FORCETOC__
 [[カテゴリ:電子部品]]