📢 Webサイト閉鎖と移転のお知らせ
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== 概要 == | == 概要 == | ||
FRAM / FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory）は、強誘電体材料を使用して情報を記憶して、電界の向きによって分極状態を変化させてデータを保存するメモリである。<br> | |||
多くのFRAM製品は、SPIやI2Cインターフェースを採用している。<br> | |||
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FRAMは、高速性、低消費電力、高い信頼性が求められる用途で特に有用である。<br> | |||
ただし、大容量のストレージが必要な場合は他の選択肢も検討する必要がある。<br> | |||
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この技術は継続的に発展しており、将来的にはさらに広い分野での採用が期待されている。<br> | |||
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FRAMには、以下に示すような特徴がある。<br> | |||
* 不揮発性 | |||
*: 電源を切ってもデータが保持される。 | |||
* 高速書き込み | |||
*: EEPROMやフラッシュROMより大幅に高速である。 | |||
* 低消費電力 | |||
*: 書き込み時のエネルギー消費が少ない。 | |||
* 高い書き換え回数 | |||
*: 10^12〜10^15回 (1兆〜1000兆回) 程度の書き換えが可能である。 | |||
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他のメモリとの比較して、FRAMは以下に示すようなメリットがある | |||
* SRAMより低速であるが、不揮発性がある。 | |||
* EEPROMより高速で、書き換え回数が多い。 | |||
* フラッシュROMより高速で、バイト単位のアクセスが可能である。 | |||
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FRAMが採用されている用途を、以下に示す。<br> | |||
* 組み込みシステム | |||
* スマートメーター | |||
* 自動車用電子機器 | |||
* 産業用機器 | |||
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FRAMのメリットを以下に示す。<br> | |||
* 信頼性が高い。 | |||
* 放射線耐性がある。 | |||
* 広い動作温度範囲 | |||
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FRAMのデメリットを以下に示す。<br> | |||
* 容量あたりのコストが比較的高い。 | |||
* 大容量化が難しい。 | |||
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