「電子部品 - MOSFETの閾値電圧」の版間の差分

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ビジュアルウィキテキスト

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 下図に、東芝製2SK4017のデータシートに記載されている電気的特性(Ta=25℃)を示す。赤色の箇所が閾値電圧V<sub>th</sub>である。<br>
 測定条件を見ると、V<sub>DS</sub>=10[V]、I<sub>D</sub>=1[mA]と記載されている。<br>
+[[ファイル:ErectricParts MOSFET Threshold 1.jpg|フレームなし|中央]]
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 これは、周囲温度Ta=25[℃]において、ドレイン-ソース間電圧V<sub>DS</sub>を10[V]印加している状態で、<br>
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 ここで、伝達特性(I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性)を見ると、V<sub>DS</sub>=10[V]の条件は電気的特性欄の測定条件と一致している。<br>
 この伝達特性(I<sub>D</sub>-V<sub>GS</sub>特性)より、例えば、5[A]のドレイン電流I<sub>D</sub>を流す場合、Ta=25[℃]では、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>は約3.3[V]必要であることが分かる。<br>
+[[ファイル:ErectricParts MOSFET Threshold 2.jpg|フレームなし|中央]]
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 次に、この時のオン抵抗R<sub>ON</sub>を求める。<br>
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 なお、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>を高くする場合、ゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>に加わるサージを加味して、下図の絶対最大定格のV<sub>GSS</sub>を超えないように設計すること。<br>
+[[ファイル:ErectricParts MOSFET Threshold 3.jpg|フレームなし|中央]]
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 <u>※補足</u><br>
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 また、下図より、温度T<sub>C</sub>が高くなると閾値電圧V<sub>th</sub>が低下することが分かる。<br>
 つまり、温度T<sub>C</sub>が高いほど閾値電圧V<sub>th</sub>が低下するため、より低いゲート-ソース間電圧V<sub>GS</sub>でドレイン電流I<sub>D</sub>を多く流せるということになる。<br>
+[[ファイル:ErectricParts MOSFET Threshold 4.jpg|フレームなし|中央]]
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 <u>※補足</u><br>